Himoya funksiyalariga ega yuqori chastotali drayverlar va drayver platalari uchun -oddiy statik (tarmoq quvvati yo'q) chiqish to'lqin shaklini sinab ko'rmoqchi bo'lgan foydalanuvchilar quyidagilarga e'tibor berishlari kerak:
1. Agar quvvat tranzistori (IGBT) yoki MOSFET allaqachon kontaktlarning zanglashiga olib ulangan bo'lsa, haydovchi quvvat manbai va PWM kirish signalini qo'llang va mos keladigan chiqish signali osiloskop yordamida chiqishda ko'rinishi kerak.
2. Agar quvvat tranzistori ulanmagan bo'lsa va siz faqat chiqishni sinab ko'rsangiz, quvvat tranzistorining kollektor va emitent (yoki drenaj va manba) terminallari qisqa tutashuv-bo'lishi kerak. Agar kollektor yoki drenaj suzuvchi holatda qolsa, haydovchi yoki haydovchi platasi quvvat tranzistorini qisqa tutash- deb talqin qiladi va uning ichki himoya mexanizmini faollashtiradi. Natijada paydo bo'lgan himoya signalining to'lqin shakli kirish PWM signalidan shakli va davrida butunlay farq qiladi. IGBT ilovalaridagi asosiy muammo haddan tashqari oqim, qisqa tutashuv-va haddan tashqari kuchlanishdan keng qamrovli himoyani ta'minlashdir. Haddan tashqari oqimdagi nosozliklar elektr ta'minotining haddan tashqari qizib ketishiga olib kelishi uchun odatda biroz vaqt talab etiladi, shuning uchun bu holatni himoya qilish asosiy boshqaruv paneli tomonidan amalga oshiriladi. Haddan tashqari kuchlanish odatda IGBT o'chganida sodir bo'ladi. Katta di/dt parazitar induktivlik boʻylab yuqori kuchlanish hosil qiladi, bu kuchlanishni mahkamlash yoki oʻchirish tezligini mos ravishda kamaytirish-toʻgʻri keladigan zanjirni talab qiladi. Qisqa tutashuvdagi nosozlik bir zumda juda yuqori oqim hosil qiladi, bu esa IGBT ga tezda zarar etkazishi mumkin. Asosiy boshqaruv platasida haddan tashqari oqimdan himoya qilish ko'pincha etarli emas, bu haydovchi pallasida yoki haydovchidan darhol himoya qilishni talab qiladi.
